[发明专利]基于钴的互连及其制造方法有效
| 申请号： | 201580002697.9 | 申请日： | 2015-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN106068549B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | C·J·杰泽斯基;T·K·因杜库里;R·V·谢比亚姆;C·T·卡弗 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例包括金属互连结构，所述金属互连结构包括：设置在衬底上的电介质层；所述电介质层中的开口，其中，所述开口具有侧壁并且暴露所述衬底和互连线的至少其中之一的导电区；设置在所述导电区之上和所述侧壁上的粘附层，所述粘附层包括锰；以及所述开口内和所述粘附层的表面上的填充材料，所述填充材料包括钴。本文中描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 互连 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属互连结构，包括：衬底上的电介质层；所述电介质层中的开口，其中，所述开口具有侧壁并且暴露所述衬底和附加互连结构的至少其中之一的导电区；所述导电区上和所述侧壁上的粘附层，所述粘附层包括锰；以及所述开口内和所述粘附层的表面上的填充材料，所述填充材料包括钴。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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