[发明专利]生产单晶氧氮化铌膜的方法和在单晶氧氮化铌膜上产生氢气的方法在审
| 申请号： | 201580002747.3 | 申请日： | 2015-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN105793477A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 菊地谅介;野村幸生;羽藤一仁;田村聪;藏渕孝浩 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C14/34;C25B1/10;C25B9/00;C25B11/06;C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种生产适合用于氢气发生装置的单晶氧氮化铌膜的方法。本发明提供一种生产单晶氧氮化铌膜的方法，所述单晶氧氮化铌膜是由化学式NbON表示的氧氮化铌形成的；此方法包括：(a)在选自经氧化钇稳定的氧化锆基材、氧化钛基材和钇‑铝复合氧化物基材的一种基材上外延生长单晶氧氮化铌膜。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 单晶氧 氮化 方法 铌膜上 产生 氢气 | ||
【主权项】：
一种生产单晶氧氮化铌膜的方法，所述单晶氧氮化铌膜是由化学式NbON表示的氧氮化铌形成的，此方法包括：(a)在选自经氧化钇稳定的氧化锆基材、氧化钛基材和钇‑铝复合氧化物基材的一种基材上外延生长单晶氧氮化铌膜。
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