[发明专利]利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法在审
| 申请号： | 201580002767.0 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106661714A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 车国麟;任志淳 | 申请（专利权）人： | 瑞福龙株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/00 | 分类号： | C23C14/00;C23C14/08;H01L21/203;H01L31/18;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人： | 王达佐,刘铮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及利用锡金属靶在玻璃衬底上形成锡氧化物层的利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法。本发明提供利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法，该方法包括以下步骤通过利用锡金属靶的溅射在玻璃衬底上形成锡氧化物缓冲层(SnO2)；以及通过利用锡金属靶的溅射在锡氧化物缓冲层上形成锡氧化物半导体层(SnO2‑x)(0<x≤0.01)。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 锡金 形成 氧化物 方法 | ||
【主权项】：
一种利用锡金属靶形成锡氧化物层的方法，包括以下步骤：通过利用锡金属靶的第一溅射在玻璃衬底上形成锡氧化物缓冲层(SnO2)；以及通过利用所述锡金属靶的第二溅射在所述锡氧化物缓冲层上形成锡氧化物半导体层(SnO2‑x)(0<x≤0.01)。
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