[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580002936.0 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105814693B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 小川惠理;吉村尚 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 对于pin二极管，除使用了低浓度阳极层和局部寿命控制等的软恢复方案之外，提供一种新的软恢复的方案。提供一种半导体装置，具备：第一导电型的漂移层，设置在第一导电型的半导体基板；第二导电型的表面侧区域，设置在漂移层的表面侧；绝缘膜层，设置在表面侧区域的表面侧，并且厚度比自然氧化膜更薄；以及金属层，设置在绝缘膜层的表面侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的漂移层，设置在第一导电型的半导体基板；第二导电型的表面侧区域，设置在所述漂移层的表面侧；绝缘膜层，设置在所述表面侧区域的表面侧，并且厚度比自然氧化膜更薄；以及金属层，以与所述绝缘膜层直接接触的方式设置在所述绝缘膜层的表面侧，所述金属层隔着所述绝缘膜层设置于第二导电型的表面侧区域。
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