[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580002976.5 | 申请日： | 2015-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN105814694B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 胁本博树;泷下博;吉村尚;田村隆博;小野泽勇一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/322;H01L21/329;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，具备：n型的半导体基板；p型的阳极区，形成在半导体基板的正面侧；n型的场停止区，在半导体基板的背面侧以质子作为施主而形成；以及n型的阴极区，形成在比场停止区更靠近半导体基板的背面侧的位置，场停止区中的深度方向的施主的浓度分布具有第一峰值和第二峰值，第二峰值比第一峰值更靠近半导体基板的背面侧，并且第二峰值的浓度比第一峰值更低，阳极区与阴极区之间的至少一部分区域中的载流子寿命比阳极区和阴极区中的任一载流子寿命更长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：n型的半导体基板；p型的阳极区，形成在所述半导体基板的正面侧；n型的场停止区，在所述半导体基板的背面侧以质子作为施主而形成；以及n型的阴极区，形成在比所述场停止区更靠近所述半导体基板的背面侧的位置，所述场停止区中的深度方向的所述施主的浓度分布具有第一峰值和第二峰值，所述第二峰值比所述第一峰值更靠近所述半导体基板的背面侧，并且所述第二峰值的浓度比所述第一峰值更低，所述阳极区与所述阴极区之间的至少一部分区域中的载流子寿命比所述阳极区中的载流子寿命更长，所述施主的浓度分布示出所述第一峰值的深度位置处的所述载流子寿命比所述阴极区中的载流子寿命更长。
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