[发明专利]导电结构体及其制备方法有效
| 申请号： | 201580003054.6 | 申请日： | 2015-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN105830170B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 林振炯;章盛皓;金起焕;金容赞;尹晶焕;朴赞亨;李一何 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/00 | 分类号： | H01B5/00;G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人： | 张皓,李海明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种导电结构体以及其制备方法。根据本发明的一个实施方式的导电结构体包括透明导电层；设置于所述透明导电层上且包含铝的金属层；以及设置于所述金属层上的氧氮化铝层。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
导电结构体作为显示装置的边框区域的导线部分的应用，其中，所述导电结构体包括：透明导电层；设置于所述透明导电层上且包含铝的第一金属层；在所述透明导电层与所述第一金属层之间包括的第二金属层；以及设置于所述第一金属层上的氧氮化铝层，其中，在85℃和85％的相对湿度的高温高湿环境下210小时之后，所述导电结构体的表面电阻的增长率为1％以下，其中，所述第一金属层的厚度为0.01μm以上且为30μm以下，其中，所述氧氮化铝层包含由AlOxNy表示的氧氮化铝，x为大于0且为1.5以下，以及y为0.1以上且为1以下，x为氧氮化铝中氧原子的含量比，以及y为氧氮化铝中氮原子的含量比，其中，所述第二金属层包含选自铜、铝、钕、钼、钛和镍中的两种或更多种金属，以及其中，所述透明导电层的厚度为15nm以上且为20nm以下。
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