[发明专利]接合体、功率模块用基板、功率模块及接合体的制造方法在审
申请号: | 201580003060.1 | 申请日: | 2015-01-30 |
公开(公告)号: | CN105829266A | 公开(公告)日: | 2016-08-03 |
发明(设计)人: | 寺崎伸幸;长友义幸 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | C04B37/02 | 分类号: | C04B37/02;H01L23/13;H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的接合体为由包含Al的陶瓷构成的陶瓷部件与由Cu或Cu合金构成的Cu部件接合而成的接合体,所述陶瓷部件与所述Cu部件之间形成有接合部,在该接合部的陶瓷部件侧形成有由包含活性金属的化合物构成的活性金属化合物区域,从该活性金属化合物区域的成为所述Cu部件侧的一面朝向所述Cu部件侧,距离0.5μm~3μm的厚度范围中的所述接合部的Al浓度在0.5原子%以上且15原子%以下的范围。 | ||
搜索关键词: | 接合 功率 模块 用基板 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种接合体,其为由包含Al的陶瓷构成的陶瓷部件与由Cu或Cu合金构成的Cu部件接合而成的接合体,其中,所述陶瓷部件与所述Cu部件之间形成有接合部,在该接合部的陶瓷部件侧形成有由包含活性金属的化合物构成的活性金属化合物区域,从该活性金属化合物区域的成为所述Cu部件侧的一面朝向所述Cu部件侧,距离0.5μm~3μm的厚度范围中的所述接合部的Al浓度在0.5原子%以上且15原子%以下的范围。
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