[发明专利]带有透明电极的基板及其制造方法有效
申请号: | 201580003181.6 | 申请日: | 2015-01-19 |
公开(公告)号: | CN105830173B | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 口山崇;早川弘毅;上田拓明;元原裕二;山本宪治 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;B32B7/02;B32B9/00;C23C14/08;G06F3/041;H01B13/00;H01L31/0224 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供可以同时实现促进热处理时的结晶化和抑制常温环境下的结晶化的带有透明电极的基板。带有透明电极的基板是在膜基板(100)上形成了由透明导电性氧化物制成的透明电极薄膜(300)。在上述膜基板(100)与上述透明电极薄膜(300)之间形成了含有金属氧化物作为主成分的基底层(200)。上述基底层(200)与上述透明电极薄膜(300)相接触。上述透明电极薄膜(300)为非晶质,上述基底层(200)为介电体且为结晶质。 1 | ||
搜索关键词: | 透明电极薄膜 透明电极 基底层 基板 结晶化 膜基板 金属氧化物 透明导电性 热处理 常温环境 非晶质 结晶质 介电体 氧化物 制造 | ||
在所述膜基板与所述透明电极薄膜之间形成了含有氧化铟作为主成分的基底层,所述氧化铟的含量为51重量%以上,
所述基底层与所述透明电极薄膜相接触,
所述透明电极薄膜为非晶质,
所述基底层为介电体且为结晶质。
2.根据权利要求1所述的带有透明电极的基板,其中,所述基底层的膜厚为2~15nm。3.根据权利要求1或2所述的带有透明电极的基板,其中,所述透明电极薄膜含有氧化铟作为主成分,所述氧化铟的含量为51重量%以上。4.根据权利要求1或2所述的带有透明电极的基板,其中,所述透明电极薄膜的膜厚为15~30nm。5.根据权利要求1或2所述的带有透明电极的基板,其中,所述透明电极薄膜具有低电阻粒子,通过使用了原子间力显微镜的电流像测定来求出的所述低电阻粒子的粒径在所述透明电极薄膜的膜内部显示最大值。6.一种带有透明电极的基板的制造方法,其是权利要求1~5任一项中所述的带有透明电极的基板的制造方法,其中,所述基底层和所述透明电极薄膜都使用氧气并采用磁控管溅射法来制作,并且在所述基底层的制作时导入腔室内的氧量为在所述透明电极薄膜的制作时导入腔室内的氧量的3倍以上。
7.一种带有透明电极的基板,其是在膜基板上形成了由透明导电性氧化物制成的透明电极薄膜而得到的带有透明电极的基板,其中,在所述膜基板与所述透明电极薄膜之间形成含有氧化锌或氧化钇作为主成分的基底层,所述氧化锌或氧化钇的含量为51重量%以上,
所述基底层与所述透明电极薄膜相接触,
所述透明电极薄膜为非晶质,
所述基底层为介电体且为结晶质,所述基底层的膜厚为2~15nm。
8.根据权利要求7所述的带有透明电极的基板,其中,所述透明电极薄膜含有氧化铟作为主成分,所述氧化铟的含量为51重量%以上。9.根据权利要求7或8所述的带有透明电极的基板,其中,所述基底层的膜厚为2~5nm。该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社钟化,未经株式会社钟化许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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