[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法

摘要

在碳化硅半导体部(1)的表面形成表面电极膜(4)，所述表面电极膜(4)依次层叠由镍构成的第一电极膜(2)和由镍硅化物(NiSi)构成的第二电极膜(3)而成。之后，通过利用热处理使碳化硅半导体部(1)的硅原子和第一电极膜(2)的镍原子反应而使第一电极膜(2)的几乎全部为镍硅化物(Ni₂Si)，从而形成碳化硅半导体部(1)与表面电极膜(4)之间的欧姆接触。由于第二电极膜(3)含有硅，所以在热处理时与碳化硅半导体部(1)的硅原子不反应。第一电极膜(2)的厚度为5nm以上且10nm以下。第二电极膜(3)的厚度为80nm以上。如此，能够确保与碳化硅半导体部(1)形成欧姆接触的电极膜和层叠在电极膜上的布线层之间的密合性。

主权项

1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，形成n型的碳化硅半导体部与形成在所述碳化硅半导体部的表面的表面电极膜之间的欧姆接触，所述碳化硅半导体装置的制造方法包括：第一形成工序，在所述碳化硅半导体部的表面，作为所述表面电极膜形成由镍构成的第一电极膜；第二形成工序，在所述第一电极膜的表面，作为所述表面电极膜形成由镍硅化物构成的第二电极膜；以及热处理工序，通过利用热处理使所述碳化硅半导体部的硅原子和所述第一电极膜的镍原子反应而使所述第一电极膜硅化，从而形成所述碳化硅半导体部与所述表面电极膜之间的欧姆接触，在所述第一形成工序中，将所述第一电极膜形成为预定的厚度，以使第一碳原子成为不向表面电极膜的最表面析出而能够导入到所述第二电极膜的内部的含有率，所述第一碳原子是在所述热处理工序中，在使所述第一电极膜硅化时，从所述碳化硅半导体部游离并扩散到所述表面电极膜侧的碳原子，所述第二电极膜是镍原子的含有率为60atm％且硅原子的含有率为40atm％至镍原子的含有率为70atm％且硅原子的含有率为30atm％之间的范围的组成。