[发明专利]碳化硅半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201580003543.1 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN105874567B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 藤井健志;佐藤麻里子;稻本拓朗 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 齐雪娇;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过在p型碳化硅半导体部(1)的表面形成石墨烯层(11)之后，在石墨烯层(11)的表面形成金属电极(2)，从而在p型碳化硅半导体部(1)和金属电极(2)的接合界面形成偶极。由此，使在p型碳化硅半导体部(1)和金属电极(2)的接合界面产生的电位差减小，p型碳化硅半导体部(1)和金属电极(2)的接触成为低电阻欧姆接触。p型碳化硅半导体部(1)的载流子浓度为1×1016/cm3以上。石墨烯层(11)具有单层结构或者三层以下的层叠结构。石墨烯层(11)对p型碳化硅半导体部(1)的覆盖率为p型碳化硅半导体部(1)的表面积的30％以上。如此，能够再现性良好地形成低电阻的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体元件的制造方法，其特征在于，形成p型碳化硅半导体部和金属电极之间的欧姆接触，所述碳化硅半导体元件的制造方法包括：第一工序，在所述p型碳化硅半导体部的表面，形成使在所述p型碳化硅半导体部与所述金属电极的接合界面产生的电位差减小的石墨烯层；第二工序，在所述石墨烯层的表面，形成由六方氮化硼构成的绝缘体层；第三工序，在所述绝缘体层的表面形成所述金属电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580003543.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于制造电子组件的方法
- 下一篇：一种大分辨率双面TFT液晶显示屏
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
