[发明专利]相对于字线补偿源极侧电阻

摘要

提供了一种方法和非易失性存储系统，其中，施加至NAND串的源极端的电压取决于被选择用于感测的非易失性存储元件的位置。这可以在不对NAND串施加体偏压的情况下进行。在一个实施方式的感测操作期间使施加至NAND串的源极端的电压的幅度取决于被选存储器单元的位置(在不施加任何体偏压的情况下)有助于缓解取决于哪个字线被选择的故障。此外，读取通过电压的幅度可以取决于源极线电压或被选存储器单元的位置。

主权项

一种非易失性存储装置，包括：非易失性存储元件的多个串(NSA0至NSA5；NSB0至NSB5；600)，每个串具有漏极端和源极端；公共源极线(SLA0至SLA2；SLB0至SLBn；128)，其可切换地耦接至所述串中的每个串的所述源极端；多个位线，其中，所述串中的每个串的所述漏极端与所述多个位线中的位线关联；与所述多个串相关联的多个字线(WL0至WL6；WL0至WL5；WL0至WLm‑1)；以及与所述公共源极线和所述多个字线通信的管理电路(850，810，830，860，865)，其中所述管理电路被配置成向所述多个字线中的被选字线施加基准电压(Vcgr)，其中所述管理电路被配置成在向所述被选字线施加所述基准电压的同时向所述公共源极线施加第一电压(Vsrc)，其中所述管理电路被配置成响应于所述基准电压来感测所述多个串上的与所述被选字线关联的相应被选非易失性存储元件的状况，其中所述第一电压的幅度取决于相应串的所述源极端与所述相应被选非易失性存储元件之间的距离，并且与所述多个字线中的哪个字线被选择无关地，所述第一电压对所述串产生相同量的反偏压。