[发明专利]高电压双扩散MOS(DMOS)装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201580003639.8 | 申请日： | 2015-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN105900246B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 博米·陈;索努·达里亚纳尼 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/11524;H01L27/11543;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成集成DMOS晶体管/EEPROM单元的方法，其包含：在衬底上方形成第一掩模；使用所述第一掩模在所述衬底中形成漂移植入物以对准所述漂移植入物；同时在所述漂移植入物上方形成第一浮动栅极及与所述漂移植入物隔开的第二浮动栅极；形成覆盖所述第二浮动栅极且覆盖所述第一浮动栅极的部分的第二掩模；使用所述第一浮动栅极的边缘在所述衬底中形成基极植入物，以使所述基极植入区域自对准；且同时在所述第一浮动栅极上方形成第一控制栅极且在所述第二浮动栅极上方形成第二控制栅极。所述第一浮动栅极、第一控制栅极、漂移植入物及基极植入物形成所述DMOS晶体管的组件，且所述第二浮动栅极及第二控制栅极形成所述EEPROM单元的组件。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 扩散 mos dmos 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双扩散金属氧化物半导体DMOS晶体管，其包括：衬底；基极植入区域，其形成于所述衬底中；源极区域，其形成于所述基极植入物中；漏极区域，其形成于所述衬底中；浮动栅极，其形成于所述衬底上方；控制栅极，其在所述基极植入区域上方延伸；浮动栅极电极，其电耦合到所述浮动栅极；及控制电子器件，其经配置以控制经由所述浮动栅极电极施加到所述浮动栅极的电压，借此控制所述DMOS装置的击穿电压及源极‑漏极电阻。
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