[发明专利]金属陶瓷接合体、隔膜真空计、金属和陶瓷的接合方法以及隔膜真空计的制造方法有效
申请号: | 201580003794.X | 申请日: | 2015-01-08 |
公开(公告)号: | CN105899475B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 高桥直树;吉田圭祐 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C04B37/02 | 分类号: | C04B37/02;G01L9/00;G01L21/00 |
代理公司: | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人: | 余文娟 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 金属陶瓷接合体具备:金属部件;陶瓷部件(11);接合层(21),其由瓷釉构成,将金属部件和陶瓷部件接合;导电层(22),其构成陶瓷部件的外表面,被接合层覆盖;以及端子层(23),其位于陶瓷部件的外表面中与金属部件分离的部位(11d、11e)。导电层(22)具有比接合层(21)高的电导率。接合层(21)位于金属部件与端子层(23)之间。 | ||
搜索关键词: | 金属陶瓷 接合 隔膜 真空计 金属 陶瓷 方法 以及 制造 | ||
【主权项】:
1.一种金属陶瓷接合体,具备:金属部件;陶瓷部件;接合层,其由瓷釉构成,将所述金属部件和所述陶瓷部件接合;导电层,其构成所述陶瓷部件的外表面,被所述接合层覆盖,所述导电层的电导率高于所述接合层的电导率;以及端子层,其位于所述陶瓷部件的外表面中与所述金属部件分离的部位,所述接合层位于所述金属部件与所述端子层之间,所述瓷釉具有玻璃基材和混合到玻璃基材中的作为正的迁移离子执行功能的金属元素,所述导电层包括:导电金属化层,其为金属粒子在所述陶瓷部件的外表面扩散的层;以及导电金属层,其覆盖所述导电金属化层的至少一部分,所述导电金属化层是含钼和锰的粒子或者含钛的粒子在所述外表面扩散的层。
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