[发明专利]含有重原子的化合物的等离子体减量有效
| 申请号： | 201580003949.X | 申请日： | 2015-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN106030755B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·S·考克斯;莫尼克·麦金托什;科林·约翰·迪金森;保罗·E·费舍尔;田中豊;原铮 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H05H1/46 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述一种等离子体减量工艺以用于减少来自处理腔室的含有化合物的流出物。等离子体减量工艺取用来自处理腔室(例如，沉积腔室)的气态前级管道流出物，并使该流出物在位于前级管线路径上的等离子体腔室内进行反应。该等离子体使流出物中的化合物解离，而将该流出物转化成较良性的化合物。减量剂可帮助减少所述化合物。该减量工艺可为挥发减量工艺或凝结减量工艺。代表性的挥发减量剂包括，例如，CH | ||
| 搜索关键词： | 含有 原子 化合物 等离子体 | ||
【主权项】：
1.一种减少来自处理腔室的流出物的方法，所述方法包括以下步骤：/n使来自处理腔室的流出物流入等离子体源中，其中所述流出物包括至少一个欲减量的物质；/n使减量剂流入所述等离子体源中，其中所述减量剂是烷烃；及/n在所述等离子体源中形成有等离子体的情况下，使所述流出物与所述减量剂进行反应以使所述流出物中的所述物质转化成甲基化的化合物。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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