[发明专利]用于光学应用的半导体器件和制造这样半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201580004240.1 申请日: 2015-01-14
公开(公告)号: CN105900247B 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 胡贝特·埃尼赫尔迈尔;弗朗茨·施兰克 申请(专利权)人: ams有限公司
主分类号: H01L31/0203 分类号: H01L31/0203
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 康建峰,吴琼
地址: 奥地利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 传感器(2)被布置在半导体衬底(1)的主表面(10)处,并且滤光器(3)被布置在传感器上方。贯通衬底通路(4)在传感器的区域外部穿透衬底。在主表面上方施加半导体本体,并且接着至少在传感器上方的区域中部分地去除该半导体本体。半导体本体的部分保留在贯通衬底通路上方作为框架层(5)。滤光器与框架层在同一水平面上。
搜索关键词: 用于 光学 应用 半导体器件 制造 这样 方法
【主权项】:
一种半导体器件,包括:‑半导体衬底(1),其具有主表面(10);‑传感器(2),其在所述主表面(10)处被布置在所述衬底(1)中;‑滤光器(3),其被布置在所述传感器(2)上方;以及‑贯通衬底通路(4),其在所述传感器(2)外部穿透所述衬底(1),所述半导体器件的特征在于‑在所述贯通衬底通路(4)上方的所述主表面(10)上方布置有框架层(5),‑所述框架层(5)没有覆盖所述滤光器(3),‑所述滤光器(3)与所述框架层(5)在同一水平面上;在所述主表面(10)上的介电层(6,7),所述滤光器(3)和所述框架层(5)被布置在所述介电层(6,7)上;金属层(12),其被布置在所述介电层(6,7)中;所述金属层(12)的在所述贯通衬底通路(4)与所述框架层(5)之间的接触区域(16);所述贯通衬底通路(4)的接触所述接触区域(16)的另一金属层(15),所述另一金属层(15)与所述框架层(5)分离;以及布置在所述介电层(6,7)中的钝化层(9),所述钝化层(9)包括与所述介电层(6,7)不同的材料,并且所述钝化层(9)包括在所述传感器(2)与所述滤光器(3)之间的开口(20)。
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