[发明专利]具有空间原子层沉积的自对准式双图案化有效
| 申请号： | 201580004367.3 | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105917445B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李宁;V·恩古耶;M·巴尔西努;夏立群;田中启一;S·D·马克斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了自对准式双图案化方法，所述方法包括特征修整。在单个批处理腔室中执行SADP工艺，在所述单个批处理腔室中，基板在处理腔室的被气体幕分开的区段之间侧向移动，使得每个区段独立地具有工艺条件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 空间 原子 沉积 对准 图案 | ||
【主权项】：
一种处理方法，所述处理方法包括：提供具有第一层和图案化层在其上的基板，通过所述图案化层暴露所述第一层的部分，所述图案化层包括具有顶表面和限定宽度的两个竖直面的至少一个特征，所述竖直面基本上垂直于所述第一层；修整所述图案化层以减小所述图案化层的宽度；在所述第一层和图案化层上沉积间隔件层，使得所述间隔件层在所述第一层的通过所述图案化层暴露的部分、所述至少一个特征的顶表面和两个竖直面上形成膜；以及从所述至少一个特征的顶表面和所述第一层的通过所述图案化层暴露的部分蚀刻所述间隔件层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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