[发明专利]选择性金属/金属氧化物刻蚀方法有效
| 申请号： | 201580004409.3 | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105899713B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | P·韦尔默朗;C·艾伦 | 申请（专利权）人： | 塞克姆公司 |
| 主分类号： | C23F1/34 | 分类号： | C23F1/34;C23F1/36;C23F1/38;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 吴小瑛 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于相对于氧化物半导体膜选择性地蚀刻钼或钛的方法，其包括提供基板，该基板包括氧化物半导体层和在该氧化物半导体层上的包含钼或钛的层；通过施加光致抗蚀剂层于包含钼或钛的层上，然后使光致抗蚀剂层形成图案并展开，以形成包含钼或钛的层的暴露部分来制备基板；提供包含氨或氢氧化铵、氢氧化季铵和过氧化物的组合物；和将所述组合物施加至所述暴露部分，持续足以蚀刻和去除包含钼或钛的层的暴露部分的时间，其中所述蚀刻相对于所述氧化物半导体选择性地去除钼或钛。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 金属 氧化物 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种用于相对于氧化物半导体层选择性地蚀刻钼或钛的方法，其包括：提供基板，该基板包括氧化物半导体层和在该氧化物半导体层上的包含钼或钛的层；通过施加光致抗蚀剂层至所述包含钼或钛的层上，然后使所述光致抗蚀剂层形成图案并展开，以形成所述包含钼或钛的层的暴露部分来制备所述基板；提供包含氨或氢氧化铵、氢氧化季铵和过氧化物的组合物；并且将所述组合物施加至所述暴露部分，持续足以蚀刻和去除所述包含钼或钛的层的暴露部分的时间，其中所述蚀刻相对于所述氧化物半导体选择性地去除钼或钛。
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