[发明专利]三相GSHE-MTJ非易失性触发器在审
| 申请号： | 201580004461.9 | 申请日： | 2015-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN105917582A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 文清·吴;肯德里克·海·良·袁;卡里姆·阿拉比 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/3562 | 分类号： | H03K3/3562;G11C11/16;G11C11/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的系统和方法是针对一种三相非易失性触发器NVFF(500)，其包含：主级，其由双巨自旋霍尔效应GSHE‑磁性隧道结MTJ结构(J1，J2)形成，其中第一GSHE‑MTJ(J1)和第二GSHE‑MTJ(J2)耦合在第一组合端子(A1，B2)与第二组合端子(B1，A2)之间；以及从级(Inv1，Inv2，EQ)，其由与第二反相器交叉耦合的第一反相器形成。在写入阶段(Phi3＝1)期间将第二数据值(d)写入到所述主级中的同一时钟循环的读取阶段(Phi2＝1)期间从所述从级读出第一数据值(d)。所述三相NVFF包含三个控制信号(Phi 1，2，3)，用于控制所述从级的初始化阶段(Phi1＝1)、所述读取阶段(Phi2＝1)和所述写入阶段(Phi3＝1)。 | ||
| 搜索关键词： | 三相 gshe mtj 非易失性 触发器 | ||
【主权项】：
一种三相非易失性触发器NVFF，其包括：主级，其包括双巨自旋霍尔效应GSHE‑磁性隧道结MTJ结构，所述双GSHE‑MTJ结构包括耦合在第一组合端子与第二组合端子之间的第一GSHE‑MTJ和第二GSHE‑MTJ；以及从级，其包括与第二反相器交叉耦合的第一反相器；其中所述从级经配置以在时钟的第一时钟循环期间以第一数据值读出，且所述主级经配置以在所述第一时钟循环期间以第二数据值写入。
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