[发明专利]单晶硅晶圆的热处理方法

摘要

本发明是一种单晶硅晶圆的热处理方法，其是在氧化性气氛下对单晶硅晶圆进行热处理的方法，基于由进行所述热处理时的热处理温度、进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的氧浓度、以及切出所述单晶硅晶圆的单晶硅的培育条件这三者的相关关系求得的条件来进行热处理。由此，可提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其通过氧化性气氛下的热处理，能够以低成本、高效且切实地消除单晶硅晶圆的Void缺陷及微小的氧析出核。

主权项

1.一种单晶硅晶圆的热处理方法，其是在氧化性气氛下对单晶硅晶圆进行热处理的方法，其特征在于，基于由进行所述热处理时的热处理温度、进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的氧浓度、以及切出所述单晶硅晶圆的单晶硅的培育条件这三者的相关关系求得的条件来进行热处理，作为所述单晶硅晶圆，在使用从不掺杂氮的单晶硅中切出的单晶硅晶圆的情况下，所述三者的相关关系以下述关系式(A‑1)来表示：T≥37.5[Oi]+72.7IvoidA+860          (A‑1)，在此，T：热处理温度(℃)，[Oi]：进行热处理前的单晶硅晶圆中的氧浓度(ppma‑JEIDA)，IvoidA由下述式(A‑2)表示：IvoidA＝{(V/G)‑(V/G)crt}1/3×{L(1150‑1080)/V}1/2    (A‑2)，在此，V：成长速度(mm/min)，G：界面附近温度梯度(℃/mm)，(V/G)crt：实现无缺陷时的V/G的值，L(1150‑1080)：Void缺陷形成温度带1,150℃‑1,080℃的距离(mm)；作为所述单晶硅晶圆，在使用从掺杂有氮的单晶硅中切出的单晶硅晶圆的情况下，所述三者的相关关系以下述的关系式(B‑1)来表示：T≥37.5[Oi]+72.7IvoidB+860          (B‑1)，在此，T：热处理温度(℃)，[Oi]：进行热处理前的单晶硅晶圆中的氧浓度(ppma‑JEIDA)，IvoidB由下述式(B‑2)表示：IvoidB＝{(V/G)‑(V/G)crt}1/3×{L(1080‑1040)/2V}1/2    (B‑2)，在此，V：成长速度(mm/min)，G：界面附近温度梯度(℃/mm)，(V/G)crt：实现无缺陷时的V/G的值，L(1080‑1040)：掺杂氮时的Void缺陷形成温度带1,080℃‑1,040℃的距离(mm)。