[发明专利]具有倾斜底部电极的电阻式存储器单元在审
| 申请号： | 201580004568.3 | 申请日： | 2015-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN105917481A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 詹姆士·沃尔斯;保罗·菲思特 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种形成电阻式存储器单元(例如导电桥接随机存取存储器CBRAM或电阻式随机存取存储器ReRAM单元)的方法，其可包含：形成多个底部电极连接件；将底部电极层沉积于所述底部电极连接件上；执行第一蚀刻以移除所述底部电极层的部分，使得剩余底部电极层界定至少一个倾斜表面；使氧化层形成于所述剩余底部电极层的每一倾斜表面上；对所述剩余底部电极层及每一倾斜表面上的氧化层执行第二蚀刻，以界定每一底部电极连接件上方的至少一个指向上底部电极区域，每一指向上底部电极区域界定底部电极尖端；及使电解质区域及顶部电极形成于每一底部电极尖端上，使得所述电解质区域布置于所述顶部电极与所述相应底部电极顶部之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 倾斜 底部 电极 电阻 存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种形成电阻式存储器单元的方法，其包括：形成多个底部电极连接件；将底部电极层沉积于所述底部电极连接件上；执行第一蚀刻以移除所述底部电极层的部分，使得剩余底部电极层界定至少一个倾斜表面；使氧化层形成于所述剩余底部电极层的每一倾斜表面上；对所述剩余底部电极层及每一倾斜表面上的氧化层执行第二蚀刻，以界定每一底部电极连接件上方的至少一个指向上底部电极区域，每一指向上底部电极区域界定底部电极尖端；及使电解质区域及顶部电极形成于每一底部电极尖端上，使得所述电解质区域布置于所述顶部电极与所述相应底部电极顶部之间。
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