[发明专利]具有布局可改变的触发电压的ESD箝位电路

摘要

ESD设备包括栅极和与栅极隔离并至少部分地在n阱区内形成的n漏极区，n阱区又至少部分地在深n阱区内形成。n漏极区、n阱区和深n阱区的掺杂水平是降序的。ESD设备具有高于它的被保护电路的操作电压的触发和保持电压，其通过改变在n漏极和n阱区的侧边缘之间的距离是布局可配置的。

主权项

一种设备，包括：至少一个n沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管，其在轻掺杂p衬底上形成，包括：栅极，重掺杂n漏极区，其与所述栅极隔离并至少部分地在中等掺杂n阱区内形成，其中所述中等掺杂n阱区至少部分地在轻掺杂深n阱区内形成，其中所述n漏极区、所述n阱区和所述深n阱区的掺杂水平是降序的，以及重掺杂n源极区；以及重掺杂p集电极区，其与所述重掺杂n源极区间隔开，其中所述重掺杂n源极区和所述重掺杂p集电极区至少部分地在中等掺杂p阱区内形成。