[发明专利]通过利用交替失效模式的标称特性的图案失效发现有效
申请号: | 201580004717.6 | 申请日: | 2015-01-15 |
公开(公告)号: | CN105917455B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | A·帕克 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供用于检测晶片上的缺陷的方法及系统。一种方法包含获取由检验系统产生的关于晶片的输出。使用不同工艺条件在所述晶片上印刷不同裸片。所述不同工艺条件对应于所述晶片的不同失效模式。所述方法还包含比较针对使用对应于所述不同失效模式中的第一者的所述不同工艺条件印刷的所述不同裸片中的第一者产生的所述输出与针对使用对应于与所述不同失效模式中的所述第一者相对的所述不同失效模式中的第二者的所述不同工艺条件印刷的所述不同裸片中的第二者产生的所述输出。此外,所述方法包含基于所述比较步骤的结果检测所述晶片上的缺陷。 | ||
搜索关键词: | 失效模式 工艺条件 晶片 裸片 印刷 输出 检测晶片 检验系统 结果检测 标称 图案 发现 | ||
【主权项】:
1.一种用于检测晶片上的缺陷的计算机实施方法,其包括:获取由检验系统产生的关于晶片的输出,其中使用不同工艺条件在所述晶片上印刷不同裸片,且其中所述不同工艺条件对应于所述晶片的不同失效模式;比较针对使用对应于所述不同失效模式中的第一者的所述不同工艺条件印刷的所述不同裸片中的第一者产生的所述输出与针对使用对应于与所述不同失效模式中的所述第一者相对的所述不同失效模式中的第二者的所述不同工艺条件印刷的所述不同裸片中的第二者产生的所述输出,其中对应于所述不同失效模式的所述不同工艺条件包括在关于所述晶片的工艺窗口的隅角处的工艺条件,其中对应于所述不同失效模式中的所述第一者的所述不同工艺条件在所述工艺窗口的所述隅角中的第一者处,且其中对应于所述不同失效模式中的所述第二者的所述不同工艺条件在与所述隅角中的所述第一者相对的所述工艺窗口的所述隅角中的第二者处;基于所述比较所述输出的结果检测所述晶片上的缺陷,其中所述获取、所述比较所述输出及所述检测由计算机系统执行;以及通过以下步骤确定所述工艺窗口:模拟所述晶片的印刷以确定期望工艺窗口;获取所述检验系统或另一检验系统产生的关于另一晶片的额外输出,其中不同裸片使用额外工艺条件印刷于所述另一晶片上,且其中所述额外工艺条件包括邻近所述期望工艺窗口的期望隅角且比所述期望隅角更远离标称工艺条件的工艺条件;比较针对使用邻近所述期望隅角中的第一者的所述额外工艺条件在所述另一晶片上印刷的所述不同裸片中的第一者产生的所述额外输出与针对使用邻近与所述期望隅角中的所述第一者相对的所述期望隅角中的第二者的所述额外工艺条件在所述另一晶片上印刷的所述不同裸片中的第二者产生的所述额外输出;基于比较所述额外输出的结果检测所述另一晶片上的缺陷;且基于在所述另一晶片上检测到的所述缺陷确定所述工艺窗口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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