[发明专利]外延剥离太阳能电池与迷你抛物面聚光器阵列通过印刷方法的集成在审
申请号: | 201580004756.6 | 申请日: | 2015-01-15 |
公开(公告)号: | CN106165111A | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 史蒂芬·R·福里斯特;李圭相;范德久;杰拉米·齐默尔曼 | 申请(专利权)人: | 密歇根大学董事会 |
主分类号: | H01L31/0304 | 分类号: | H01L31/0304;H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 金海霞;杨青 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种制备光伏器件的方法。特别地,所述方法包括通过印刷方法将外延剥离太阳能电池与迷你抛物面聚光器阵列集成。因此,本发明公开了包括如下的方法:提供生长基板;在生长基板上沉积至少一个保护层;在保护层上沉积至少一个牺牲层;在牺牲层上沉积至少一个光活性电池;蚀刻从所述至少一个光活性电池延伸至牺牲层的至少两个平行沟槽的图案;在所述至少一个光活性电池上沉积金属;将所述金属粘结至主体基板;以及利用一个或多个蚀刻步骤除去牺牲层。主体基板可以是硅氧烷,其在辊压时可形成用于将太阳能电池集成到聚光器阵列中的冲压物。本发明还公开了制造生长基板的方法和由其制造的生长基板。 | ||
搜索关键词: | 外延 剥离 太阳能电池 迷你 抛物面 聚光器 阵列 通过 印刷 方法 集成 | ||
【主权项】:
一种用于进行外延剥离的非破坏性方法,所述方法包括:提供生长基板;在所述生长基板上沉积至少一个保护层;在所述保护层上沉积至少一个牺牲层;在所述牺牲层上沉积光活性电池;在至少一个光活性电池上沉积金属掩模;通过所述金属掩模进行第一蚀刻步骤以在所述光活性电池中形成图案,其中所述图案延伸至所述牺牲层;以及利用一个或多个第二蚀刻步骤除去所述牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的