[发明专利]介电组合物、介电元件、电子部件和层压电子部件有效
| 申请号： | 201580004963.1 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105934419B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 田内古史;井村智也;广濑政和 | 申请（专利权）人： | 爱普科斯公司 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;C04B35/462;C04B35/47;C04B35/475;H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 唐京桥,李春晖 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 要解决的问题在于提供一种介电组合物，其在施加至少8V/μm的DC偏压时具有800或更大的相对较高的介电常数，并且还在于提供使用所述介电组合物的介电元件、电子部件以及层压电子部件。[解决方案]一种介电组合物，其中，主要成分的组成是根据以下公式(1)(BiaNabSrc)(MgdTi1‑d)O3(1)[其中，a、b、c和d满足以下0.10≤a≤0.65、0<b≤0.45、0<c≤0.85、0<d<0.20并且0.95≤a+b+c≤1.05]。 | ||
| 搜索关键词： | 组合 元件 电子 部件 层压 | ||
【主权项】：
一种介电组合物，其中，主要成分的组成是根据以下公式(1)：(BiaNabSrc)(MgdTi1‑d)O3 (1)其特征在于，a、b、c和d满足以下：0.10≤a≤0.65、0<b≤0.45、0<c≤0.85、0<d<0.20并且0.95≤a+b+c≤1.05。
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