[发明专利]任意基板上的膜厚度的测量在审
申请号: | 201580005173.5 | 申请日: | 2015-01-07 |
公开(公告)号: | CN105917456A | 公开(公告)日: | 2016-08-31 |
发明(设计)人: | E·布迪亚尔托;T·诺瓦克;T·伊甘;S·斯塔里克 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开的实施例使用反射测量实现膜属性(诸如厚度)的测量,而不考虑在基板或基层上的下层图案,因为生长的膜在任何波长上所造成的相移的量与所述基板或所述基层无关。所述方法的一个实施例包括从时间序列数据确定所述基板的属性。所述方法的另一个实施例包括通过分别在光源接通和断开的情况下作出两次连续测量来去除等离子体背景以便测量数据。另一个实施例包括通过监测等离子体标记或光学属性的相移来确定沉积开始时间。 | ||
搜索关键词: | 任意 基板上 厚度 测量 | ||
【主权项】:
一种用于测量薄膜的属性的方法,所述方法包括:将具有未知表面的基板定位在处理腔室中;以一时间间隔来重复地测量所述基板的反射光谱,以便获得时间序列数据;使一种或多种处理气体流动以将所述薄膜沉积在所述基板上,同时维持重复的测量;从所述时间序列数据中的多个反射光谱测量来确定所述基板的所述未知表面的一个或多个属性;以及根据所述未知表面的所述一个或多个属性以及所述薄膜的反射光谱测量来确定所述薄膜的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造