[发明专利]集成器件的重分布层(RDL)中的超环电感器在审
| 申请号： | 201580005211.7 | 申请日： | 2015-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN106415832A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | S·顾;R·D·莱恩;U·雷 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一些特征涉及集成器件，该集成器件包括基板、耦合到该基板的数个金属层、耦合到该基板的数个介电层、耦合到这些金属层中的一者的第一金属重分布层、以及耦合到该第一金属重分布层的第二金属重分布层。第一和第二金属重分布层配置成在集成器件中操作为超环电感器。在一些实现中，集成器件还包括第三金属重分布层。第三金属重分布层耦合到第一和第二金属重分布层。第三金属重分布层是一通孔。在一些实现中，第一、第二和第三金属重分布层配置成在集成器件中作为超环电感器来操作。在一些实现中，第一、第二和第三重分布层形成了该超环电感器的绕组集。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 器件 分布 rdl 中的 电感器 | ||
【主权项】：
一种集成器件，包括：基板；耦合到所述基板的多个金属层；耦合到所述基板的多个介电层；以及耦合到所述金属层中的一者的重分布部分，所述重分布部分包括：第一金属重分布层；以及耦合到所述第一金属重分布层的第二金属重分布层，其中所述第一和第二金属重分布层被配置成在所述集成器件中作为超环电感器来操作。
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