[发明专利]离子植入系统以及使用离子束处理工件的方法有效

专利信息
申请号: 201580005269.1 申请日: 2015-01-13
公开(公告)号: CN106415791B 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: 大卫·汀布莱克;马克·R·亚玛多;纳岚·罗夫 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265;H01J37/317;H01L21/66
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨文娟;臧建明
地址: 美国麻萨诸塞*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供一种离子植入系统以及使用离子束处理工件的方法,该离子植入系统结合使用具有至少两个不同尺寸的孔隙的限束孔隙板件与至少两个电荷收集器。由于孔隙宽度的差异,所述两个电荷收集器接收不同量的离子,其中所述量与相关联孔隙的宽度成比例。通过监视第一电荷收集器收集的电荷与第二收集器收集的电荷的比率,而可监视且任选地补偿腐蚀量。
搜索关键词: 离子植入系统 电荷收集器 处理工件 电荷 离子束 监视 腐蚀量 孔隙板 收集器 离子 关联
【主权项】:
1.一种离子植入系统,其特征在于,所述离子植入系统包括:离子源,产生离子束;限束孔隙板件,具有两个不同尺寸的孔隙;两个电荷收集器,各自安置在所述两个不同尺寸的孔隙的相应一个后方;致动器,用以驱动所述限束孔隙板件穿过所述离子束的一部分;以及控制系统,与所述两个电荷收集器通信以监视所述离子束的离子束电流,其中所述控制系统:基于所述两个不同尺寸的孔隙的宽度的比率以计算初始孔隙比;基于每一所述两个电荷收集器测得的电荷的比率以计算经更新的孔隙比;以及使用所述初始孔隙比以及所述经更新的孔隙比来控制所述离子植入系统。
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