[发明专利]离子植入系统以及使用离子束处理工件的方法有效
申请号: | 201580005269.1 | 申请日: | 2015-01-13 |
公开(公告)号: | CN106415791B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 大卫·汀布莱克;马克·R·亚玛多;纳岚·罗夫 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/317;H01L21/66 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种离子植入系统以及使用离子束处理工件的方法,该离子植入系统结合使用具有至少两个不同尺寸的孔隙的限束孔隙板件与至少两个电荷收集器。由于孔隙宽度的差异,所述两个电荷收集器接收不同量的离子,其中所述量与相关联孔隙的宽度成比例。通过监视第一电荷收集器收集的电荷与第二收集器收集的电荷的比率,而可监视且任选地补偿腐蚀量。 | ||
搜索关键词: | 离子植入系统 电荷收集器 处理工件 电荷 离子束 监视 腐蚀量 孔隙板 收集器 离子 关联 | ||
【主权项】:
1.一种离子植入系统,其特征在于,所述离子植入系统包括:离子源,产生离子束;限束孔隙板件,具有两个不同尺寸的孔隙;两个电荷收集器,各自安置在所述两个不同尺寸的孔隙的相应一个后方;致动器,用以驱动所述限束孔隙板件穿过所述离子束的一部分;以及控制系统,与所述两个电荷收集器通信以监视所述离子束的离子束电流,其中所述控制系统:基于所述两个不同尺寸的孔隙的宽度的比率以计算初始孔隙比;基于每一所述两个电荷收集器测得的电荷的比率以计算经更新的孔隙比;以及使用所述初始孔隙比以及所述经更新的孔隙比来控制所述离子植入系统。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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