[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201580005722.9 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105934832B | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 西研一;影山健生;武政敬三;菅原充;R·霍格;陈思铭 | 申请（专利权）人： | QD激光公司;谢菲尔德大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体发光元件具有：下部包层(12)，其设于基板(10)上；有源层部(20)，其设于下部包层上(12)，包括量子阱层(24)以及在与(24)量子阱层之间隔着第2势垒层(22b)配置的多个量子点(28)；以及上部包层(14)，其设于有源层部(20)上，量子阱层(24)和多个量子点(28)之间的间隔(D)小于多个量子点(28)各自的中心之间的间隔(X)的平均值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于，所述半导体发光元件具有：下部包层，其设于基板上；有源层部，其设于所述下部包层上，包括量子阱层以及在与所述量子阱层之间隔着势垒层配置的多个量子点；以及上部包层，其设于所述有源层部上，所述量子阱层与所述多个量子点之间的间隔为所述多个量子点各自的中心之间的间隔的平均值的1/4以上且3/4以下。
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