[发明专利]固态图像传感器、成像装置和电子设备有效
申请号: | 201580005763.8 | 申请日: | 2015-12-07 |
公开(公告)号: | CN105934826B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 町田贵志;山下和芳 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/14;H04N5/355;H04N5/369;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本技术涉及一种能够切换固态图像传感器的所有像素中的FD转换效率的固态图像传感器、成像装置和电子设备。光电二极管对入射光进行光电转换。浮动扩散(FD)累积通过所述光电二极管获得的电荷。附加电容部MIM的容量增加到其上的作为第二FD的FD2将电容增加到FD。所述附加电容部MIM由第一电极和第二电极构成,第一电极由其中形成有与所述FD和第二FD的端子电连接的配线的配线层形成,第二电极由设置在其上形成有所述光电二极管的基板的表面上的金属遮光膜形成,所述基板的该表面更接近光的光源,所述金属层设置为比所述配线层更接近所述基板并且与所述配线层相对。FD和FD+FD2之间的切换允许切换FD转换效率。本技术适用于CMOS图像传感器。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 成像 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
一种前面照射型固态图像传感器,包括:被构造成进行入射光的光电转换的光电转换部;被构造成累积通过光电转换获得的电荷的电荷‑电压转换部;被构造成将容量增加到所述电荷‑电压转换部的电荷累积部;和被构造成将容量增加到所述电荷累积部的附加电容部,其中所述附加电容部由第一电极和第二电极构成,第一电极由其中形成有与所述电压转换部和所述电荷累积部的端子电连接的配线的配线层形成,第二电极由设置在其上形成有所述光电转换部的基板的表面上的金属层形成,所述基板的该表面更接近光的光源,所述金属层设置为比所述配线层更接近所述基板并且与所述配线层相对。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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