[发明专利]成膜掩膜的制造方法以及成膜掩膜有效
| 申请号： | 201580006343.1 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105940138B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 水村通伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社V技术 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;B23K26/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;青炜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供成膜掩膜的制造方法以及成膜掩膜。成膜掩膜的制造方法制造将设有预先决定的规定形状的开口图案(4)的树脂制的薄膜层(1)和设有能够包含上述开口图案(4)的大小的缝隙(7)的磁性金属材料层(2)相层叠的构造的成膜掩膜，上述开口图案(4)通过向薄膜层(1)的与上述缝隙(7)对应的部分从两面侧照射激光使上述薄膜层(2)贯通而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 成膜掩膜 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种成膜掩膜的制造方法，其制造将树脂制的薄膜层和磁性金属材料层相层叠的构造的成膜掩膜，所述薄膜层设有预先决定的规定形状的开口图案，所述磁性金属材料层设有能够包含所述开口图案的大小的缝隙，该成膜掩膜的制造方法的特征在于，通过向薄膜层的与所述缝隙对应的部分，从与所述磁性金属材料层相反的一侧照射激光而形成第一凹部，并且从所述磁性金属材料层侧照射激光，将所述磁性金属材料层作为掩膜而形成开口面积比所述第一凹部大的第二凹部，由此使所述薄膜层贯通而形成所述开口图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社V技术，未经株式会社V技术许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580006343.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电解池槽壳
- 下一篇：在电弧炉中制钢的方法和电弧炉
- 同类专利
- 专利分类
