[发明专利]使用宽离子场穿孔二维材料在审
| 申请号： | 201580006829.5 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN105940479A | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | P·V·贝得沃斯 | 申请（专利权）人： | 洛克希德马丁公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/08 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 徐嘉慧;崔佳佳 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有期望的尺寸范围、窄的尺寸分布以及高孔密度的、其内含孔的穿孔石墨烯和其他二维材料是难以获得的。与石墨烯、石墨烯基体材料和其他二维材料连续接触的薄层有助于促进孔的形成。对二维材料进行穿孔的方法可以包括:将二维材料暴露于离子源下，其中所述二维材料连续接触于至少一层；以及将来自于离子源的大量离子与二维材料和所述至少一层相互作用。所述离子源可以为宽离子束。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 离子 穿孔 二维 材料 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：将多层材料暴露于离子源提供的离子下，所述多层材料包括含二维第一材料的第一层，以及与所述第一层接触的第二材料的第二层，所述提供的离子具有从1.0keV至10keV范围的离子能量以及从0.1nA/mm2至100nA/mm2的通量；以及通过将由离子源提供的大量离子、中和离子或其组合与所述二维第一材料以及与第二材料的相互作用，在所述二维第一材料中产生多个孔。
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