[发明专利]采用多孔非牺牲性支撑层的二维材料形成复合结构的方法在审
| 申请号： | 201580006832.7 | 申请日： | 2015-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN106029596A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | S·L·辛萨鲍夫;P·V·贝得沃斯;D·F·小凯希;S·E·海瑟;S·W·辛顿;R·M·斯托豋伯格;J·L·斯维特 | 申请（专利权）人： | 洛克希德马丁公司 |
| 主分类号： | C03C27/00 | 分类号： | C03C27/00 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 刘妍珺;崔佳佳 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 很难将原子级薄膜(例如石墨烯、石墨烯基材料和其它二维材料)从生长基片移除，然后将该薄膜转移到第二基片。在去除和转移过程中，会发生撕裂和保形性问题。通过操控二维材料如石墨烯或石墨烯基材料形成复合结构的方法包括：提供附着至生长基片的二维材料；在二维材料附着于生长基片的同时将支撑层沉积于二维材料上；和将二维材料从生长基片上释放，在二维材料从生长基片上释放后，所述二维材料仍保持与支撑层相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 多孔 牺牲 支撑 二维 材料 形成 复合 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供附着至生长基片的二维材料；在二维材料附着于生长基片的同时将支撑层沉积于二维材料上；和将二维材料从生长基片上释放，在二维材料从生长基片上释放后，所述二维材料仍保持与支撑层相接触。
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