[发明专利]半导体用复合基板的操作基板及半导体用复合基板有效
| 申请号： | 201580006859.6 | 申请日： | 2015-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN105981132B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 井出晃启;高垣达朗;宫泽杉夫;岩崎康范 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体用复合基板的操作基板4包括：基底基板，该基底基板由多晶材料构成，及单组分且高纯度的非晶质层3，该非晶质层3设置在基底基板1上，具有耐化学腐蚀性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 复合 操作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体用复合基板的制造方法，其是制造具有操作基板及与所述操作基板接合的施主基板的半导体用复合基板的方法，其特征在于，具有以下工序：在由多晶氧化铝构成的基底基板上形成氧化铝层，接下来，通过在650℃以上、1000℃以下对所述氧化铝层进行退火处理来形成具有耐化学腐蚀性、由纯度为98质量％以上的氧化铝构成的非晶质层，对所述非晶质层的接合面进行化学机械研磨，使所述非晶质层的接合面的表面粗糙度Ra为1nm以下、所述非晶质层的厚度为0.5μm以上、3μm以下，接下来，通过将所述施主基板接合于所述非晶质层的所述接合面，使施主基板直接接合于所述接合面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本碍子株式会社，未经日本碍子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580006859.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种太阳能车载云台摄像机
- 下一篇：变压器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
