[发明专利]衬底处理装置、顶棚部及半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201580006962.0 | 申请日: | 2015-03-19 |
公开(公告)号: | CN105960701B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 竹胁基哉;小杉哲也;上野正昭 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/44;H01L21/22;H01L21/316 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明在提高衬底面内的温度均匀性的同时迅速地降低炉内温度。具有:反应管,其对衬底进行处理;加热部,其配置在反应管的外周,且对反应管内进行加热;隔热部,其配置在加热部的外周;流路,其在隔热部上设有多个,且供外部气体或冷却介质流通;和顶棚部,其将隔热部的上表面覆盖,顶棚部具有:第1部件,其形成有与流路连通且将外部气体或冷却介质向流路内供给的供给口;和第2部件,其配置在第1部件之上,在与第1部件之间形成有供外部气体或冷却介质流动的空间,并形成有将空间分割成至少两个空间的分隔部。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 顶棚 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种衬底处理装置,其特征在于,具有:反应管,其对衬底进行处理;加热部,其配置在所述反应管的外周,且对所述反应管内进行加热;隔热部,其配置在所述加热部的外周;流路,其在所述隔热部上设有多个,且供外部气体或冷却介质流通;和顶棚部,其将所述隔热部的上表面覆盖,所述顶棚部具有:第1部件,其形成有与所述流路连通且将所述外部气体或冷却介质向所述流路内供给的供给口;和第2部件,其配置在所述第1部件之上,在与所述第1部件之间形成有供所述外部气体或冷却介质流动的空间,且在所述第2部件上形成有以使向所述空间内供给的外部气体或冷却介质的供给流路分别独立成为在相对于衬底处理装置的后侧的所述流路中流动的供给路径和在相对于衬底处理装置的前侧的所述流路中流动的供给流路的方式将所述空间分割成至少两个空间的分隔部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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