[发明专利]制造具有凸起接触的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201580007271.2 | 申请日： | 2015-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN105980840B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 约亨·克拉夫特;卡尔·罗拉赫尔;马丁·施雷姆斯 | 申请（专利权）人： | ams有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;陈炜 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 在半导体衬底(1)上或上方的介电层(2)中形成包括电导体(4、5、6、7)的布线(3)，在所述介电层中形成开口使由所述导体之一形成的接触焊垫(8)露出，并且在所述介电层中形成另一开口使与所述接触焊垫分离的另一导体(5)的区域露出。用导电材料(9)填充所述另一开口，并且从与所述衬底相对的侧使所述介电层变薄，从而使得所述导电材料从所述介电层凸起。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 凸起 接触 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上或上方的介电层中形成包括电导体的布线；在所述介电层中形成开口使由所述电导体中的一个导体形成的接触焊垫露出；在所述介电层中形成另一开口，并且由此露出与所述接触焊垫分离的所述电导体中的另一个导体的区域；用导电材料填充所述另一开口；以及从与所述衬底相对的侧使所述介电层变薄，其中，在不进一步暴露最上部的金属化层的情况下使所述介电层变薄，使得所述最上部的金属化层保持被变薄的介电层部分地覆盖，其中，所述导电材料从变薄的介电层凸起并且形成所述另一个导体，其中，所述另一个导体凸起的高度从20nm至100nm的范围变化，其中，形成所述接触焊垫的所述一个导体以及其上施加有其他导体的所述另一个导体都属于所述最上部的金属化层。
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