[发明专利]薄膜制造装置、掩模组、薄膜制造方法在审
申请号: | 201580007320.2 | 申请日: | 2015-02-03 |
公开(公告)号: | CN105980597A | 公开(公告)日: | 2016-09-28 |
发明(设计)人: | 深尾万里;糟谷宪昭 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C14/54 | 分类号: | C23C14/54;C23C14/04;C23C14/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘林华;傅永霄 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供能够使膜厚的测定结果立即反映到成膜工序中的薄膜制造装置和薄膜制造方法。在一个成膜单元(11)的成膜室(22)内,在成膜对象物形成构图后的薄膜,然后使其移动至另一成膜单元(11)的成膜室(22)而形成构图后的另一薄膜,此时,在位于成膜单元(11)之间的第一移动室(21)或第二移动室(23)中,从光发送部(32)将偏振光照射至所形成的薄膜之中的与成膜对象物表面接触的测定用薄膜的部分,由光接收部(33)接收反射光,通过椭圆偏振计求出薄膜的膜厚。在测定结果为异常值的情况下,使形成显示异常值的薄膜的成膜室(22)的运转停止。当在多个成膜室(22)形成不同的薄膜时,如果预先以各薄膜的测定用部分分离地定位的方式形成掩模,则即使在二层以上的薄膜形成后,也能够进行膜厚测定。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 制造 装置 模组 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜制造装置,具有:第一成膜源,释放作为第一成膜物质的微粒的第一微粒;第二成膜源,释放作为第二成膜物质的微粒的第二微粒;第一、第二成膜室,分别配置有所述第一、第二成膜源;第一掩模,形成有第一主开口,配置于所述第一成膜室;第二掩模,形成有第二主开口,配置于所述第二成膜室;以及椭圆偏振计,具有射出偏振光的光发送部和接收入射光的光接收部,在所述第一成膜室中,成膜对象物与所述第一掩模对置,利用通过所述第一主开口的所述第一微粒来在所述成膜对象物上形成第一主薄膜,在所述第二成膜室中,所述成膜对象物与所述第二掩模对置,利用通过所述第二主开口的所述第二微粒来在所述成膜对象物上形成第二主薄膜,其中,在所述第一掩模中,在与所述第一主开口不同的部位,形成有第一副开口,在所述第二掩模中,在与所述第二主开口不同的部位,形成有第二副开口,当在所述第一成膜室形成薄膜时,利用通过所述第一副开口的第一微粒来形成与所述成膜对象物的表面接触的第一测定用薄膜,当在所述第二成膜室形成薄膜时,利用通过所述第二副开口的第二微粒来形成与所述成膜对象物的表面接触的第二测定用薄膜,设置有移动室,从所述第一成膜室搬出的所述成膜对象物被搬入该移动室,所述光发送部和所述光接收部配置于所述移动室内,配置于所述移动室内的所述成膜对象物的所述第一测定用薄膜的表面露出,所述偏振光照射至所述第一测定用薄膜的露出的表面,反射光入射至所述光接收部,测定所述第一测定用薄膜的膜厚值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科,未经株式会社爱发科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580007320.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类