[发明专利]基于差分测量的离子传感器和制造方法

摘要

本发明涉及基于差分测量的离子传感器，包括ISFET/REFET对，其中，REFET由ISFET形成的结构限定，ISFET由包含内部参考溶液的微储液器覆盖。所述传感器包括：第一和第二离子选择性场效应晶体管；电极；衬底，其表面上集成两个晶体管、连接轨和电极；附连到第一离子选择性场效应晶体管的结构，在所述第一晶体管的栅极上产生微储液器，所述微储液器具有将所述微储液器与外部连接的微通道，所述微储液器填充有参考溶液。

主权项

基于差分测量的离子传感器，其特征在于，所述离子传感器包括：第一场效应晶体管和至少一个第二离子选择性场效应晶体管，它们由连接轨电连接到离子测量系统，所述第二离子选择性场效应晶体管与参考溶液接触；电极；在其表面上的至少一个芯片，其集成所述离子选择性场效应晶体管；附连在所述第一离子选择性场效应晶体管上的结构，所述结构被配置成在所述第一晶体管的一个栅极上产生微储液器，所述微储液器填充有所述参考溶液；至少一个微通道，所述至少一个微通道将所述微储液器与外部连接，所述至少一个微通道填充有所述参考溶液；衬底，在所述衬底上集成所述至少一个芯片、所述连接轨和所述电极；以及封装材料，所述封装材料将所述连接轨完全隔离，并部分地隔离所述第一和第二离子选择性场效应晶体管与待测溶液。