[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置

摘要

一种碳化硅半导体装置的制造方法，依次包含：研磨工序，通过从第二主面114侧对碳化硅半导体基体110进行研磨，从而在所第二主面形成凹凸；金属薄膜形成工序，在碳化硅半导体基体的第二主面上，形成由可形成金属碳化物的金属构成的金属薄膜118；激光照射工序，通过对金属薄膜进行可见区域或红外区域的激光照射将金属薄膜加热，从而在碳化硅半导体基体与金属薄膜的境界面形成金属碳化物120；蚀刻工序，将有可能形成在所述金属碳化物的表面侧的含金属副生成物层122利用非氧化性药液蚀刻去除，从而使所述金属碳化物露出于表面；以及电极形成工序，在金属碳化物上形成阴电极126。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，是一种不存在碳析出问题，并且能够以低成本制造具有良好电阻特性以及粘着特性的欧姆电极的碳化硅半导体装置的制造方法。

主权项

1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，依次包括：/n碳化硅半导体基体准备工序，准备具有元件形成面即第一主面以及该第一主面的相反面即第二主面的碳化硅半导体基体；/n研磨工序，通过从所述第二主面侧对所述碳化硅半导体基体进行研磨从而在所述第二主面形成凹凸；/n金属薄膜形成工序，在所述碳化硅半导体基体的所述第二主面上，形成由可形成金属碳化物的金属构成的金属薄膜；/n激光照射工序，通过对所述金属薄膜进行可见区域或红外区域的激光照射将所述金属薄膜加热，从而在所述碳化硅半导体基体与所述金属薄膜的境界面形成金属碳化物；/n蚀刻工序，将有可能形成在所述金属碳化物的表面侧的含金属副生成物层利用非氧化性药液蚀刻去除，从而使所述金属碳化物露出于表面；以及/n电极层形成工序，在所述金属碳化物上形成电极层，/n其中，以到达距离所述碳化硅半导体基体与所述金属薄膜的境界面50nm深度的位置上的激光的光量在10％以下为条件来开始所述激光照射工序。/n