[发明专利]取向碳纳米管的浮动蒸发组装

摘要

提供了具有高纳米管取向度的半导体单壁碳纳米管的高密度膜。还提供了制造该膜和纳入该膜作为导电通道材料的场效应晶体管(FET)。由包含溶解的单壁碳纳米管的有机溶剂的薄层来沉积该单壁碳纳米管，该包含溶解的单壁碳纳米管的有机溶剂的薄层在水性介质的表面上方展开，在接触固体基材时诱发蒸发自组装。

主权项

1.一种在基材上形成取向s‑SWCNT膜的方法，该方法包括：(a)将疏水基材部分地浸入水性介质中；(b)向该水性介质施加一定剂量的液体溶液，该液体溶液包括分散在有机溶剂中的半导体选择性聚合物卷绕的s‑SWCNT，由此该液体溶液在该水性介质上在空气‑液体界面处展开为层，从而与该疏水基材接触而不形成半导体选择性聚合物卷绕的s‑SWCNT的Langmuir‑Blodgett膜，且在有机溶剂蒸发时来自包括分散在该有机溶剂中的半导体选择性聚合物卷绕的s‑SWCNT的该层的半导体选择性聚合物卷绕的s‑SWCNT在该疏水基材上沉积为取向的半导体选择性聚合物卷绕的s‑SWCNT带；和(c)从该水性介质至少部分抽出该疏水基材，使得从该空气‑液体界面抽出其上沉积有该取向的半导体选择性聚合物卷绕的s‑SWCNT带的该疏水基材的部分。