[发明专利]具有隧道电介质的太阳能电池有效
申请号: | 201580007956.7 | 申请日: | 2015-03-24 |
公开(公告)号: | CN105993079B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 戴维·D·史密斯 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0256 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;李荣胜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了一种太阳能电池,所述太阳能电池可具有第一电介质,所述第一电介质形成在硅基板的第一掺杂区上方。所述太阳能电池可具有第二电介质,所述第二电介质形成在所述硅基板的第二掺杂区上方,其中所述第一电介质是与所述第二电介质不同类型的电介质。掺杂半导体可形成在所述第一电介质和所述第二电介质上方。P型金属和N型金属可形成在所述掺杂半导体上方。 | ||
搜索关键词: | 具有 隧道 电介质 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,包括:硅基板,其包括P型掺杂区和N型掺杂区;第一电介质,所述第一电介质形成在所述硅基板的P型掺杂区上方;第二电介质,所述第二电介质形成在所述硅基板的N型掺杂区上方,其中所述第一电介质的电子势垒大于空穴势垒,并且所述第二电介质的电子势垒小于空穴势垒;掺杂半导体,所述掺杂半导体形成在所述第一电介质和所述第二电介质上方;P型金属触点,所述P型金属触点形成在所述掺杂半导体和所述第一电介质上方;以及N型金属触点,所述N型金属触点形成在所述掺杂半导体上方和所述第二电介质上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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