[发明专利]集成电路电阻器的热金属接地有效
申请号: | 201580008191.9 | 申请日: | 2015-02-09 |
公开(公告)号: | CN105993071B | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | A·米特尔;A·L·S·洛克;M·塞迪;P·德雷南 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/522;H01L23/64 |
代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 袁逸<国际申请>=PCT/US2015/ |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 金属热接地被用于从集成电路电阻器耗散热量。这些电阻器可使用前端制程层(例如,氮化钛层)来形成。金属区域(例如,第一金属层中的金属区域)位于电阻器之上以形成热沉。连接到该金属区域的热桩区域也位于该电阻器之上。该金属区域可以连接到集成电路的基板以提供集成电路外的低阻抗热路径。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 电阻器 金属 接地 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,包括:/n电阻器;/n布置成与所述电阻器的至少一部分平行且重叠的金属区域;以及/n一个或多个热桩,其电连接到所述金属区域并且布置在所述金属区域和所述电阻器之间,所述热桩与所述电阻器电隔离;以及/n位于所述电阻器之间的一个或多个触点,其中所述一个或多个触点被配置成将热量从所述金属区域传导到所述集成电路的基板。/n
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