[发明专利]集成电路电阻器的热金属接地有效

专利信息
申请号: 201580008191.9 申请日: 2015-02-09
公开(公告)号: CN105993071B 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: A·米特尔;A·L·S·洛克;M·塞迪;P·德雷南 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/522;H01L23/64
代理公司: 31100 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 袁逸<国际申请>=PCT/US2015/
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 金属热接地被用于从集成电路电阻器耗散热量。这些电阻器可使用前端制程层(例如,氮化钛层)来形成。金属区域(例如,第一金属层中的金属区域)位于电阻器之上以形成热沉。连接到该金属区域的热桩区域也位于该电阻器之上。该金属区域可以连接到集成电路的基板以提供集成电路外的低阻抗热路径。
搜索关键词: 集成电路 电阻器 金属 接地
【主权项】:
1.一种集成电路,包括:/n电阻器;/n布置成与所述电阻器的至少一部分平行且重叠的金属区域;以及/n一个或多个热桩,其电连接到所述金属区域并且布置在所述金属区域和所述电阻器之间,所述热桩与所述电阻器电隔离;以及/n位于所述电阻器之间的一个或多个触点,其中所述一个或多个触点被配置成将热量从所述金属区域传导到所述集成电路的基板。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司,未经高通股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580008191.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top