[发明专利]布线图案的制造方法和晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201580008353.9 | 申请日： | 2015-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105980600B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 小泉翔平;杉崎敬;川上雄介 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | C23C18/18 | 分类号： | C23C18/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的布线图案的制造方法具有下述步骤：在基板(2)上形成含有第1形成材料的镀覆基底膜的前体膜(3x)，所述第1形成材料具有由光反应性的保护基保护的氨基；在所述前体膜的表面形成由光致抗蚀剂材料构成的光致抗蚀剂层(4A)；以所需图案光对所述光致抗蚀剂层进行曝光；以所需图案光对所述前体膜进行曝光，形成所述镀覆基底膜(3)；使经曝光的所述光致抗蚀剂层显影的同时去除脱保护后的保护基；使无电解镀覆用催化剂(5)在露出的所述镀覆基底膜的表面析出。 | ||
| 搜索关键词： | 布线 图案 制造 方法 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种布线图案的制造方法，其具有下述步骤：在基板上形成含有第1形成材料的镀覆基底膜的前体膜，所述第1形成材料具有由光反应性的保护基保护的氨基；在所述前体膜的表面形成由光致抗蚀剂材料构成的光致抗蚀剂层；以所需图案光对所述光致抗蚀剂层进行曝光；以所需图案光对所述前体膜进行曝光，形成所述镀覆基底膜；使经曝光的所述光致抗蚀剂层显影并且去除脱保护后的保护基；和使无电解镀覆用催化剂在露出的所述镀覆基底膜的表面析出，所述第1形成材料为具有由所述保护基保护的氨基的硅烷偶联剂。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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