[发明专利]晶片缺口检测有效

专利信息
申请号: 201580008392.9 申请日: 2015-02-10
公开(公告)号: CN106030772B 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: B·埃弗拉蒂;N·比沙拉;A·西姆金;Y·伊什-沙洛姆 申请(专利权)人: 科磊股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供用于高效估计晶片缺口的位置的缺口检测方法及模块。捕获晶片的指定区域的图像,在所述所捕获图像的被转换为极坐标的变换中识别主角。接着,从所述经识别主角将晶片轴恢复为所述所捕获区域中的几何基元的主定向。所述所捕获区域可经选择为包含所述晶片的中心及/或增强对所述轴的识别及恢复的特定图案。可使用多个图像及/或区域以优化图像质量及检测效率。
搜索关键词: 晶片 缺口 检测
【主权项】:
一种估计晶片缺口的位置的方法,所述方法包括:捕获所述晶片的至少一个指定区域的图像,在所述所捕获图像的被转换为极坐标的变换中识别至少一个主角,及从所述至少一个经识别主角恢复至少一个晶片轴。
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