[发明专利]晶片缺口检测有效
申请号: | 201580008392.9 | 申请日: | 2015-02-10 |
公开(公告)号: | CN106030772B | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | B·埃弗拉蒂;N·比沙拉;A·西姆金;Y·伊什-沙洛姆 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供用于高效估计晶片缺口的位置的缺口检测方法及模块。捕获晶片的指定区域的图像,在所述所捕获图像的被转换为极坐标的变换中识别主角。接着,从所述经识别主角将晶片轴恢复为所述所捕获区域中的几何基元的主定向。所述所捕获区域可经选择为包含所述晶片的中心及/或增强对所述轴的识别及恢复的特定图案。可使用多个图像及/或区域以优化图像质量及检测效率。 | ||
搜索关键词: | 晶片 缺口 检测 | ||
【主权项】:
一种估计晶片缺口的位置的方法,所述方法包括:捕获所述晶片的至少一个指定区域的图像,在所述所捕获图像的被转换为极坐标的变换中识别至少一个主角,及从所述至少一个经识别主角恢复至少一个晶片轴。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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