[发明专利]磁性材料溅射靶在审
| 申请号： | 201580008580.1 | 申请日： | 2015-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN106795620A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 池田祐希;荒川笃俊 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;G11B5/851 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 胡嵩麟,王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种溅射靶，其为具有含有Fe的金属基质相、和形成粒子并分散存在的非磁性相的溅射靶，其特征在于，非磁性相含有0.1～40摩尔％的C，所述溅射靶的X射线衍射的单峰之中强度最高的衍射峰的积分宽度为0.8以下。本发明提供一种非磁性材料粒子分散型溅射靶，其通过抑制溅射时的初始粉粒的产生从而减少预烧时间，并且在溅射时可得到稳定的放电。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性材料 溅射 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其为具有含有Fe的金属基质相、和形成粒子并分散存在的非磁性相的溅射靶，其特征在于，非磁性相含有0.1～40摩尔％的C，所述溅射靶的X射线衍射的单峰之中强度最高的衍射峰的积分宽度为0.8以下。
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