[发明专利]用于制造光电子半导体组件的方法以及光电子半导体组件

摘要

提出一种用于制造具有多个像素(71，72)的光电子半导体组件，所述方法包括如下步骤：a)提供半导体层序列(11，12，13)，所述半导体层序列具有n型传导的半导体层(11)、有源区(13)和p型传导的半导体层(12)，b)施加第一层序列(22，31)，其中第一层序列(22，31)划分成多个区域(61，62)，所述区域在横向上彼此间隔开地设置在p型传导的半导体层(12)的背离n型传导的半导体层(11)的覆盖面(12a)上，c)施加第二绝缘层(32)，d)部分地移除p型传导的半导体层(12)和有源区(13)，使得局部地露出n型传导的半导体层(11)，并且将p型传导的半导体层(12)划分成各个区域(71，72)，所述区域在横向上彼此间隔开，其中每个区域包括p型传导的半导体层(12)的一部分和有源区(13)的一部分。

主权项

1.一种用于制造光电子半导体组件的方法，所述光电子半导体组件具有多个像素(71，72)，所述方法包括如下步骤：a)提供具有主延伸平面的半导体层序列(11，12，13)，所述半导体层序列具有：‑具有底面(11c)的n型传导的半导体层(11)，‑在所述n型传导的半导体层(11)的与所述底面(11c)背离的覆盖面(11a)上的有源区(13)，和‑p型传导的半导体层(12)，所述p型传导的半导体层设置在所述有源区(13)的与所述n型传导的半导体层(11)背离的一侧上，b)施加第一层序列(22，31)，所述第一层序列包括p型接触层(22)和第一绝缘层(31)，其中所述第一层序列(22，31)划分成多个区域(61，62)，所述区域在横向上彼此间隔开地设置在所述p型传导的半导体层(12)的与所述n型传导的半导体层(11)背离的覆盖面(12a)上，c)施加第二绝缘层(32)，所述第二绝缘层横向于主延伸平面伸展并且至少局部地覆盖所述第一层序列的全部侧壁(6b)，d)部分地移除所述p型传导的半导体层(12)和所述有源区(13)，使得局部地露出所述n型传导的半导体层(11)，并且将所述p型传导的半导体层(12)和所述有源区(13)划分成各个区域(71，72)，所述区域在横向上彼此间隔开，其中每个所述区域包括所述p型传导的半导体层(12)的一部分和所述有源区(13)的一部分，e)施加n型接触层(21)和金属化层(23)，使得所述n型接触层(21)和所述金属化层(23)分别沿着所述半导体层序列(11，12，13)的主延伸平面伸展，f)部分地移除所述金属化层(23)和所述第一绝缘层(31)，使得至少局部地露出所述p型接触层(22)。