[发明专利]新环二硅氮烷衍生物、其制备方法以及使用其的含硅薄膜有效
| 申请号： | 201580009061.7 | 申请日： | 2015-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN106029679B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 张世珍;杨炳日;金成基;金宗炫;金度延;李相道;昔壮衒;李相益;金铭云 | 申请（专利权）人： | DNF有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/10 | 分类号： | C07F7/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了新的环二硅氮烷衍生物、用于制备其的方法、以及使用其的含硅薄膜，其中具有热稳定性、高挥发性和高反应性并且在室温下和压力下呈液态(易于处理)的所述环二硅氮烷衍生物可通过多种沉积方法形成具有优良物理和电学特性的高纯度含硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 新环二硅氮烷 衍生物 制备 方法 以及 使用 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种由以下化学式1表示的环二硅氮烷衍生物：[化学式1]![]()
在化学式1中，R1至R3各自独立地为氢、卤素、C1‑C5烷基或C2‑C5烯基，并且R4为C3烷基或C3烯基。
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