[发明专利]用于升压和泄漏改进的堆叠薄沟道

摘要

一种中空沟道存储器设备包括源层、形成在源层上的第一中空沟道柱结构以及形成在第一中空沟道柱结构上的第二中空沟道柱结构。第一中空沟道柱结构包括第一薄沟道，并且第二中空沟道柱结构包括与第一薄沟道接触的第二薄沟道。在一个示例性实施例中，第一薄沟道包括第一掺杂水平；并且第二薄沟道包括不同于第一掺杂水平的第二掺杂水平。在另一示例性实施例中，第一和第二掺杂水平相同。

主权项

1.一种存储器设备，包括：/n中空沟道柱结构，包括第一端和第二端，所述柱结构的所述第一端耦合到源极并且所述柱结构的所述第二端耦合到位线，/n所述柱结构还包括：/n围绕电介质材料的薄沟道，所述薄沟道包括第一区和第二区，/n所述第一区沿所述柱结构位于与所述源极接近，并且所述第二区沿所述柱结构位于与所述源极远离，/n所述薄沟道的所述第一区包括第一掺杂水平，并且所述薄沟道的所述第二区包括第二掺杂水平，并且/n所述第二掺杂水平低于所述第一掺杂水平。/n