[发明专利]晶片检测方法及软件有效
| 申请号： | 201580009491.9 | 申请日： | 2015-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN106030773B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 阿萨夫·施勒岑杰;马库斯·J·施托佩尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施方式一般涉及用于检测晶片的方法。在砖料被切片成多个裸晶片后，拍摄各个晶片的二维(2D)光致发光(PL)图像，接着将晶片的PL图像以相继次序(即，晶片从砖料切片下来的顺序)合并以建构砖料的三维(3D)模型，砖料的三维模型突显(highlight)了砖料中的相似区。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 检测 方法 软件 | ||
【主权项】：
1.一种用于检测晶片的方法，所述方法包括以下步骤：合并多个晶片的各个晶片的二维光致发光图像，其中以对应于砖料切片前在所述砖料中各个晶片的位置的相继次序合并所述多个晶片的所述图像；及建构使所述砖料中相似区突显的所述砖料的三维光致发光模型，其中所述三维光致发光模型由以相继次序合并二维光致发光图像而建构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580009491.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
