[发明专利]非易失性半导体存储装置

摘要

非易失性半导体存储装置，在数据节点以及基准节点分别连接第一晶体管以及第二晶体管，在数据状态判定动作时，对数据节点以及基准节点施加电压的情况下，第一以及第二晶体管在第一动作模式下作为预充电晶体管而动作，在第二动作模式下作为反射镜晶体管而动作，切换第一、第二动作模式。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置，具备：至少具备第一端子和第二端子的存储器单元；至少具备第三端子和第四端子的基准单元；与所述第一端子以及所述第三端子连接的读出电路；与所述第一端子连接的第一晶体管；和与所述第三端子连接的第二晶体管，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极被公共连接，所述非易失性半导体存储装置还具备：用于使所述第一晶体管的所述栅极和所述第二晶体管的所述栅极、与所述第三端子之间电短路或切断的开关，在所述第一晶体管的所述栅极连接第一控制端子，在所述开关连接对所述开关的短路或切断进行控制的第二控制端子，所述非易失性半导体存储装置具备切换所述第一控制端子以及所述第二控制端子的控制电路，所述控制电路进行控制，以使在第一动作模式下，将所述第一控制端子设定为使所述第一晶体管以及所述第二晶体管通电，将所述第二控制端子设定为使所述开关切断，所述第一晶体管以及所述第二晶体管作为对所述第一端子以及所述第三端子施加第一电压的预充电晶体管动作，在第二动作模式下，将所述第一控制端子设为高阻抗，将所述第二控制端子设定为使开关短路，由此所述第一晶体管以及所述第二晶体管作为对所述第一端子以及所述第三端子施加所述第一电压的反射镜晶体管动作。