[发明专利]电阻可变元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201580009845.X | 申请日： | 2015-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN106030800A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 福田夏树;福寿和纪;宫口有典;西冈浩;邹弘纲 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人： | 韩登营;高伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种低成本的电阻可变元件及其制造方法。本发明的一个实施方式的电阻可变元件(1)具有下部电极层(3)、上部电极层(5)和氧化物半导体层(4)。上部电极层(5)由碳材料形成。氧化物半导体层(4)具有第1金属氧化物层(41)和第2金属氧化物层(42)。第1金属氧化物层(41)形成于下部电极层(3)和上部电极层(5)之间，并且具有第1电阻率。第2金属氧化物层(42)形成于第1金属氧化物层(41)和上部电极层(5)之间，并且具有与第1电阻率不同的第2电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 可变 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻可变元件，其特征在于，具有：第1电极层；第2电极层，其由碳材料形成；和氧化物半导体层，其具有第1金属氧化物层和第2金属氧化物层，所述第1金属氧化物层形成于所述第1电极层和所述第2电极层之间，并且具有第1电阻率，所述第2金属氧化物层形成于所述第1金属氧化物层和所述第2电极层之间，并且具有与所述第1电阻率不同的第2电阻率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
